第50章 计算机研发集群（2/5）

施铭主要研究微电子科学技术与半导体器件，在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。

崔奇，1957年从香港培正中学毕业，1958年赴美国深造，就读于伊利诺伊州奥古斯塔纳学院。1967年在美国芝加哥大学获物理学博士学位，此后到著名的贝尔实验室工作。1982年起任普林斯顿大学电子工程系教授，是美国国家科学院院士，美国国家工程院院士，中国科学院外籍院士，中科院荣誉教授。1998年10月13日，瑞典皇家科学院宣布把1998年诺贝尔物理奖授予崔奇与德国科学家霍斯特?施特默和美国科学家罗伯特?劳克林，主要表彰他们发现并解释了电子量子流体这一特殊现象。

崔奇主要从事电子材料基本性质等领域的研究，主要学术兴趣是研究金属和半导体中电子的性质。他的这些研究将可应用于研制功能更强大的计算机和更先进的通信设备。

胡正民，微电子学家。1968年台湾大学电机系毕业，获学士学位。1969年赴美国加州大学伯克利分校留学，1970年获硕士学位。1973年获美国加州大学伯克利分校博士学位。是美国工程科学院院士、中国科学院外籍院士，美国加州大学伯克利分校杰出讲座教授。

胡正民是鳍式场效晶体管ffet的发明者，解决了晶体做薄后的漏电问题，并向上发展，使晶片内构从水平变成垂直，从而打破了原来英特尔对全世界宣布的将来半导体的限制，并且在学术领域屡创高峰，在电晶体尺寸及性能研发上屡次创新世界纪录，也为积体电路设计订定出第一个国际标准电晶体模型。

2012实验室半导体设备研究所主要研发半导体生产过程中用到的相关设备，有单晶炉、气相外延炉、分子束外延系统、氧化炉、低压化学气相淀积系统、等离子体增强化学气相淀积系统、磁控溅射台、化学机械抛光机、光刻机、反应离子刻蚀系统、ic等离子体刻蚀系统、离子注入机、探针测试台、晶片减薄机、晶圆划片机、引线键合机等。这个研究所由林本间负责。